Objectifs :

Connaitre le principe de fonctionnement des composants de puissance.
Choisir le composants en fonction de l'application.

Public :
- Salariés (DIF)

Pré-requis :
Avoir des connaissances de base en électricité, électrotechnique et mathématiques.

Durée : 6 jours (40 heures)

Dates de la formation : Mai/Juin 2007

Programme :

1) Notion de bases sur la physique du silicium

2) Caractéristiques des composants de puissance :

- Diode à jonction PN et Shottky.
- Thyristor.
- Transistor MOS.
- Transistor IGBT

3) Cellule de commutation et type de commutation

4) Commande des composants de puissances

5) Choix du dissipateur

Méthode pédagogique :
Pédagogie active alternant théorie et travaux pratiques.

Modalités d'enseignement :
Cours, travaux dirigés et travaux pratiques.

Equipements :
Mise en œuvre des composants étudiés.

Intervenant : Jean-Pierre Zagar, Département Génie Electrique

Lieu d'enseignement :

IUT Sénart/Fontainebleau
Avenue Pierre Point
77127 Lieusaint

Inscription et renseignements :
Gina Domingues
Tél : 01 64 13 44 95
domingues@univ-paris12.fr

Coût :
1 200 euros TTC par stagiaire

Financements possibles :
Droit individuel à la formation (DIF), période de professionnalisation, plan de formation, ....

Information :
En complément de ce programme, vous pouvez suivre :
Distribution électrique et sécurité électrique
Phénomènes thermiques